Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動(dòng)態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強(qiáng)不間斷電源系統(tǒng)的完整性。
新控制器通過(guò)以這種方式驅(qū)動(dòng)MOSFET，同時(shí)提升標(biāo)準(zhǔn)12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-3mV，加上±2mV的緊密容差，可在輕載的情況下改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性及提高效率。
此外，這款控制器可灌入5A的電流，確保并聯(lián)OR'ing MOSFET能夠盡快放電，并且做到600ns的快速關(guān)斷時(shí)間，以防止反向電流及在共軌系統(tǒng)上的電壓降。在典型的12V配置內(nèi)，器件的靜態(tài)電流設(shè)定為400μA以下，待機(jī)功耗則少于5mW。
新控制器通過(guò)以這種方式驅(qū)動(dòng)MOSFET，同時(shí)提升標(biāo)準(zhǔn)12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-3mV，加上±2mV的緊密容差，可在輕載的情況下改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性及提高效率。
此外，這款控制器可灌入5A的電流，確保并聯(lián)OR'ing MOSFET能夠盡快放電，并且做到600ns的快速關(guān)斷時(shí)間，以防止反向電流及在共軌系統(tǒng)上的電壓降。在典型的12V配置內(nèi)，器件的靜態(tài)電流設(shè)定為400μA以下，待機(jī)功耗則少于5mW。
